Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка комплекса методов выращивания высокосовершенных монокристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV для применения в микро- и оптоэлектронике.

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.467.11.2016
Организация
АО "Гиредмет"

Разработка эффективных методов изготовления высокосовершенных крупногабаритных монокристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV (GaAs, InAs, GaSb, InSb) для элементной базы электронной техники нового поколения

Этапы проекта

1
02.05.2006 - 30.06.2006
Мероприятие 1.3.
Проведена разработка рабочей конструкторской документации на ростовую установку для выращивания монокристаллов соединений АIIIBV методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. Подготовлен комплект РКД, предназначенный для изготовления экспериментальной установки. Выполнены разработки технологий выращивания монокристаллов GaAs, InAs, GaSb, и InSb диаметром 2 и 3 дюйма методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. По результатам разработки подготовлены комплекты предварительной технологической документации на процессы выращивания монокристаллов соединений AIIIBV методом вертикальной направленной кристаллизации. Проведены патентные исследования по тематике контракта. Составлен отчет о патентных исследованиях.
Мероприятие 1.7.
Подготовлен и проведен открытый конкурс на поставку спецоборудования для научных (экспериментальных) работ. По итогам конкурса заключены контракты на поставку экспериментального оборудования, предусмотренного техническим заданием на контракт
Развернуть
2
01.07.2006 - 30.09.2006
Изготовлен опытный образец ростовой установки для выращивания монокристаллов соединений AmBv методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. Опытный образец прошел предварительные и приемочные испытания в соответствии с разработанными программами и методиками испытаний. По результатам испытаний опытный образец установки признан соответствующим требованиям технического задания и рабочей конструкторской документации.
С использованием опытного образца ростовой установки разработан комплекс методов выращивания монокристаллов соединений AniBv (GaAs, InAs, GaSb, InSb) с высоким структурным совершенством методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. Разработана рабочая технологическая документация (технологические инструкции, маршрутные карты) на процессы выращивания монокристаллов соединений AI1[BV методом вертикальной направленной кристаллизации применительно к опытному образцу ростовой установки, а также проекты технических условий на монокристаллы соединений A]11BV с высоким структурным совершенством.
Изготовлены опытные образцы монокристаллов GaAs, InAs, GaSb, InSb с высоким структурным совершенством. Опытные образцы монокристаллов выдержали предварительные и приемочные испытания на соответствие требованиям технического задания и проектов технических условий.
Изготовлено и поставлено предусмотренное техническим заданием экспериментальное оборудование для оснащения технологического участка.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.3 Прикладные разработки в рамках системы приоритетных направлений
Продолжительность работ
2005 - 2006, 11 мес.
Бюджетные средства
20 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2007 - 2008, 18 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Организация
ИФП СО РАН
профинансировано
Тема
Разработка комплекса методов выращивания высокосовершенных монокристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV для применения в микро- и оптоэлектронике.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
15 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка технологий выращивания крупногабаритных монокристаллов со структурой граната для применения в оптоэлектронике и лазерной технике.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
30 млн
Количество заявок
4
Тема
Разработка технологии получения комплекса монокристаллов широкозонных полупроводников для элементной базы оптоэлектроники, дозиметрии, медицинской аппаратуры, приборов досмотровой техники.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка технологий ядерного легирования монокристаллов полупроводниковых соединений A3B5 .
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
3
Тема
Разработка метода получения крупногабаритных нелегированных и легированных до 1,5•1018см-3 монокристаллов антимонида индия для ИК фотоприемных устройств нового поколения.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1