Разработка комплекса методов выращивания высокосовершенных монокристаллов полупроводниковых соединений АIIIВV для применения в микро- и оптоэлектронике.

Мероприятие 1.3.
Проведена разработка рабочей конструкторской документации на ростовую установку для выращивания монокристаллов соединений АIIIBV методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. Подготовлен комплект РКД, предназначенный для изготовления экспериментальной установки. Выполнены разработки технологий выращивания монокристаллов GaAs, InAs, GaSb, и InSb диаметром 2 и 3 дюйма методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. По результатам разработки подготовлены комплекты предварительной технологической документации на процессы выращивания монокристаллов соединений AIIIBV методом вертикальной направленной кристаллизации. Проведены патентные исследования по тематике контракта. Составлен отчет о патентных исследованиях.
Мероприятие 1.7.
Подготовлен и проведен открытый конкурс на поставку спецоборудования для научных (экспериментальных) работ. По итогам конкурса заключены контракты на поставку экспериментального оборудования, предусмотренного техническим заданием на контракт

Изготовлен опытный образец ростовой установки для выращивания монокристаллов соединений AmBv методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. Опытный образец прошел предварительные и приемочные испытания в соответствии с разработанными программами и методиками испытаний. По результатам испытаний опытный образец установки признан соответствующим требованиям технического задания и рабочей конструкторской документации.
С использованием опытного образца ростовой установки разработан комплекс методов выращивания монокристаллов соединений AniBv (GaAs, InAs, GaSb, InSb) с высоким структурным совершенством методом вертикальной направленной кристаллизации в движущемся температурном поле. Разработана рабочая технологическая документация (технологические инструкции, маршрутные карты) на процессы выращивания монокристаллов соединений AI1[BV методом вертикальной направленной кристаллизации применительно к опытному образцу ростовой установки, а также проекты технических условий на монокристаллы соединений A]11BV с высоким структурным совершенством.
Изготовлены опытные образцы монокристаллов GaAs, InAs, GaSb, InSb с высоким структурным совершенством. Опытные образцы монокристаллов выдержали предварительные и приемочные испытания на соответствие требованиям технического задания и проектов технических условий.
Изготовлено и поставлено предусмотренное техническим заданием экспериментальное оборудование для оснащения технологического участка.