Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур

Стадии проекта

Предложение принято

Конкурс завершен

Проект закончен

Проект

02.513.12.0002

Организация

ИФП СО РАН

Руководитель работ

Латышев Александр Васильевич

Продолжительность работ

2008, 3 мес.

Бюджетные средства

1,2 млн

Внебюджетные средства

0 млн

Конкурс

Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.

Получение новых научных результатов, актуальных для инновационного развития российских технологий по приоритетному направлению науки и техники «Индустрия наносистем и материалы».
Развитие ведущей научной школы Российской Федерации.

Этапы проекта

04.08.2008 - 20.11.2008

Разработаны и апробированы новые методы наноструктурирования поверхности с технологическими размерами до 20 нм.
Созданы наноструктуры на основе гетеросистемы TiN-SiO2-Si для изучения эволюции перехода сверхпроводник-металл к переходу сверхпроводник-изолятор.
Разработаны методы моделирования и цифровой обработки электронно-микроскопических изображений с целью получения адекватной количественной информации об атомном строении низкоразмерных систем.
Разработаны и созданы высокоточные тест-объекты для обеспечения единства измерений линейных размеров в диапазоне 0,1-100 нм и высокоточные маски для технологии Nano-Imprint Lithography в качестве калибровочных стандартов для метрологических применений в нанотехнологиях.