Источники и приемники терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур Si/Ge и A3B5

В ходе выполнения проекта теоретически проанализирована схема каскадного лазера терагерцового диапазона на примеснозонных оптических переходах в ?-легированных сверхрешетках GaAs/AlGaAs n-типа. Проанализированы возможности создания примеснозонных каскадных лазеров на основе гетероструктур Si/Ge. Экспериментально обнаружен эффект усиления терагерцового излучения на переходах между долинами зоны проводимости и связанными состояниями кулоновских центров легирования в напряженной многослойной (49 периодов) гетероструктуре Si:P/Si1-xGex (x=0.04) с встроенной деформацией слоев кремния, эквивалентной их сжатию в поперечном направлении давлением ~1 кбар, с селективным легированием фосфором слоев кремния при возбужднии излучением CO2 лазера на длине волны 10.6 мкм. Экспериментально исследованы спектры и кинетика примесной фотопроводимости в гетероструктурах n-GaAs/InGaAsP и p-Ge/GeSi с квантовыми ямами.