Наноэлектронные компоненты телекоммуникационных систем с представлением данных в троичном коде.

Работа выполняется в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы». Начало проекта – сентябрь 2007г., окончание работы октябрь 2008г. Работа выполняется в 4 этапа. Цель работы: 1) Выполнение международных обязательств Российской Федерации, зафиксированных в соглашениях и договорах о научно-техническом сотрудничестве по проведению совместных поисковых исследований по приоритетным направлениям науки и техники, представляющим взаимный интерес. 2) Разработка компонентной базы беспроводных телекоммуникационных систем, в том числе устройств СВЧ и устройств цифровой логики с использованием троичной системы представления данных с помощью систем одноэлектронных транзисторов и ячеек памяти, формируемых на основе кремниевых наноструктур для увеличения объемов и повышения быстродействия обработки и передачи информации.
Результаты первого этапа: проведен анализ научно-технической литературы, нормативно-технической документации и других материалов. Сформулированы два основных направления исследований в процессе выполнения проекта, которые заключаются в изучении возможности использования одноэлектронных кремниевых транзисторов и ячеек памяти на основе планарной диффузионной кремниевой нанотехнологии для применения в телекоммуникационных системах с использованием троичного базиса кодирования сигналов, а также - в разработке методов оптимизации технологии получения элементной базы наноэлектронных устройств. В рамках этих задач была рассмотрена общая классификация приборных структур наноэлектроники. Анализировались возможности экспериментальной реализации требуемых параметров одноэлектронных транзисторов и ячеек памяти для работы при комнатной температуре. Данный анализ затрагивал актуальные вопросы физики низкоразмерных полупроводниковых структур. Кроме того, проведен анализ существующих в мировой практике технологий изготовления кремниевых наноструктур. Были рассмотрены методы получения сверхрезких диффузионных профилей бора на поверхности кремния (100), состоящих из сверхузких кремниевых квантовых ям с высокой подвижностью носителей тока, которые представляют собой основу для разработки и технологической реализации различных комбинаций одноэлектронных транзисторов и ячеек памяти.

1 Проработаны вопросы возможной коммерциализации полученных результатов.
2 Проведены патентные исследования
3 Реализованы мероприятия по достижению технико-экономических показателей (п. 6 Технического задания).
4 Составлен промежуточный отчет

Работа выполняется в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы». Начало проекта – август 2007г., окончание работы октябрь 2008г. Работа выполняется в 4 этапа. Цель работы: 1) Выполнение международных обязательств Российской Федерации, зафиксированных в соглашениях и договорах о научно-техническом сотрудничестве по проведению совместных поисковых исследований по приоритетным направлениям науки и техники, представляющим взаимный интерес. 2) Разработка компонентной базы беспроводных телекоммуникационных систем, в том числе устройств СВЧ и устройств цифровой логики с использованием троичной системы представления данных с помощью систем одноэлектронных транзисторов и ячеек памяти, формируемых на основе кремниевых наноструктур для увеличения объемов и повышения быстродействия обработки и передачи информации.

В результате выполнения этапа: реализованы на кристалле кремниевые одноэлектронные транзисторы на основе планарной диффузионной кремниевой нанотехнологии для применения в телекоммуникационных системах с использованием троичного базиса кодирования сигналов, а также разработаны методы оптимизации технологии получения элементной базы наноэлектронных устройств. Проведены экспериментальные исследования и получены основные характеристики одноэлектронных транзисторов, в том числе: вольт-амперные характеристики в различных режимах работы и частотные характеристики в диапазоне сотен гигагерц. Разработаны электрические эквивалентные схемы одноэлектронных транзисторов, основанные на представлении транзистора как трехполюсника. Разработаны модели усилителя и инвертора с тремя состояниями на основе одноэлектронных транзисторов, соответствующими логическим состояниям "1", "0" и "-1" в зависимости от напряжения затвора, что соответствует представлению сигнала в троичном коде.

В результате выполнения этапа: обобщены результаты предыдущих этапов работ. Проведена оценка полноты решения задач и эффективности полученных результатов в сравнении с современным научно-техническим уровнем. Проведена оценка возможности создания конкурентоспособной продукции и разработка рекомендаций по использованию результатов проведенных НИР. Разработан проект технических требований для технического задания на ОКР по разработке наноэлектронных элементов для телекоммуникационных систем нового поколения, ориентированных на использование троичных методов кодирования сигналов. Проведена корректировка конструкторской документации по результатам экспериментальных исследований