«Разработка и исследование
однокристальной схемы умножителя потока электронов на основе
углеродных наноструктур и алмазных пленок»

Краткое описание выполненных работ по 1 этапу НИР


Аннотация
В рамках первого этапа выполнения НИР, были сделаны следующие работы:
-выбраны схема умножения и конструкция однокристальной схемы умножения потока электронов;
-обоснован выбор материалов катода, динодов, барьерных электродов и анода;
-выполнен анализ возможных процессов потерь энергии первичными электронами по каналу преобразованиях их энергии в поток вторичных электронов; обоснован доминирующий механизм потерь;
- выполнены оценки потерь потока из-за рекомбинации в материале динода;
-рассчитано распределение напряженностей электрического поля в конструкции ОСУПЭ и ее рабочие характеристики; определены необходимые и достаточные условия эффективной работы устройства и выявлены способы дальнейшей оптимизации;
- реализована, модифицирована и отработана технология роста УНС PECСVD методом;
- предложена и реализована оригинальная технология роста УНС непосредственно из углеродосодержащих подложек и слоев; обосновано ее преимущество перед PECCVD технологией;
-отработаны режимы роста поликристаллических алмазных пленок легированных бором как материла динодов;
-измерения и отработка рабочих параметров катодов и динодов осуществлялись на специализированных стендах, выполненных на основе РЭМ ‘Cambridge’;
-разработан комплект топологической документации и изготовлен комплект фотошаблонов для автоэмиттеров;
-оформлена и послана во ВНИИГПЭ заявка на Патент по способу каталитического роста УНС непосредственно из углеродосодержащих подложек;
-сделано четыре доклада на международных конференциях, опубликовано три статьи и еще две статьи приняты к опубликованию.

Далее смотри приложенный файл

Разработка стенда для
автоэмиссионных измерений.
Изготовление и исследование
образцов автокатодов на
основе У НС для УПЭ.
Исследование морфологии и
состава барьерных,
каталитических и
пассивирующих слоев
мультислойных структур для
автокатодов на основе УНС.
Исследование эмиссионных
характеристик образцов
авто катодов для УПЭ.
Оптимизация базовых
технологий роста УНС.
Разработка стенда измерений
эмиссионных характеристик
динодов.
Экспериментальные
исследования
морфологических и
электрических характеристик
ПАП.
Экспериментальные
исследования вторичной
эмиссии электронов из
материала динодов на основе
ПАП для УПЭ.
Оптимизации технологии
выращивания ПАП по
заданному рисунку.

Разработка технологического
маршрута изготовления УПЭ.
Изготовление тестовых
интегральных
однокристальных схем УПЭ.
Экспериментальные
исследования характеристик
тестовых схем УПЭ.
Проведение патентных
исследований
Разработка топологии
однокристальной схемы УПЭ.
Изготовление комплекта
фотошаблонов.

Разработка и изготовление
макетных образцов УПЭ.
Оптимизация технологии
локального выращивания
автокатодов для УПЭ на
основе У НС.
Разработка программы
внедрения результатов НИР в
образовательный процесс
Исследование характеристик
автокатодов и динодов УПЭ и
устройства в целом.
Оптимизация технологии
локального выращивания
алмазных пленок

Изготовление
экспериментальных образцов
однокристальных схем УПЭ.
Измерение рабочих
характеристик интегральных
однокристальных схем УПЭ.
Анализ результатов и
выработка рекомендаций по
разработке опытных образцов
интегральных
однокристальных схем УПЭ.
Проведение технико-
экономической оценки
рыночного потенциала
полученных результатов.