Исследование и разработка методов гетероэпитаксиального роста алмазных пленок для применения в перспективных сильноточных и радиационностойких электронных приборах

Стадии проекта

Предложение принято

Конкурс завершен

Проект закончен

Проект

02.513.11.3143

Организация

НИИЯФ МГУ

Руководитель работ

Рахимов Александр Турсунович

Продолжительность работ

2007, 7 мес.

Бюджетные средства

2 млн

Внебюджетные средства

0 млн

Конкурс

Работы по проведению проблемно-ориентированных поисковых исследований и созданию научно-технического задела в области индустрии наносистем и материалов по критической технологии «Технологии создания и обработки кристаллических материалов» (мероприятие Программы 1.3)

Работы должны проводиться в рамках критической технологии «Технологии создания и обработки кристаллических материалов». Работы должны соответствовать по предполагаемому исполнению лучшим мировым стандартам. Создаваемый научно-технический задел должен обеспечивать в будущем проведение опытно-конструкторских и технологических работ на конкурентном уровне. Результаты работ должны способствовать дальнейшему инновационному развитию российских технологий в данном приоритетном направлении Программы.

Этапы проекта

21.03.2007 - 31.10.2007

- проведены патентные исследования по ГОСТ 15.011-96;
- исследованы механизмы зарождения и гетероэпитаксиального роста иридия на сапфире;
- исследованы механизмы нуклеации алмаза на иридии и разработаны методы ее стимулирования ионно-плазменной обработкой поверхности иридиевого слоя;
- исследованы механизмы гетероэпитаксиального роста алмаза на иридии и выявлены ключевые физические параметры, определяющих возможность масштабирования технологического процесса;
- разработан метод гетероэпитаксиального осаждения алмазных пленок на подложки из сапфира с подслоем иридия;
- изготовлены экспериментальные образцы гетероэпитаксиальных алмазных пленок на подложках из сапфира;
- исследованы электрические и оптические свойства выращенных образцов гетероэпитаксиальных алмазных пленок;
- исследованы зависимости электрических и оптических свойств выращенных алмазных пленок от электрофизических и плазмохимических параметров CVD-реакторов;
- сделана оценка возможности конкурентоспособной продукции на основе разработанной технологии и разработка рекомендаций по использованию результатов проведенных НИР;
- составлен и оформлен отчета.