Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка нанотехнологий формирования и физических основ метрологии суб-100 нм элементов интегральных приборов наноэлектроники

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Продолжительность работ
2010 - 2012, 31 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Внебюджетные средства
2,25 млн

Информация отсутствует

Участники проекта

Зам. руководителя работ
Рудый Александр Степанович

Этапы проекта

1
24.04.2010 - 31.08.2010
1.1. Проведение патентных исследований.
1.2. Исследование закономерностей формирования суб-100 нм литографических масок, разработка методов повышения их стойкости к химически активной плазме.
1.3. Разработка научно-методических материалов для учебно-методических комплексов по общепрофессиональным дисциплинам образовательной программы «Электроника и наноэлектроника».
Развернуть
2
01.09.2010 - 15.11.2010
2.1. Электронно-микроскопические исследования сформированных масок, изменения их геометрических характеристик после модификации полимеров в ходе экспериментов по повышению стойкости масок.
2.2. Разработка методик контроля наноразмерных объектов средствами РЭМ и АСМ высокого разрешения.
2.3. Разработка УМК по дисциплинам специализации образовательной программы «Электроника и наноэлектроника».
Развернуть
3
01.01.2011 - 31.07.2011
3.1. Разработка технологических режимов прецизионного анизотропного травления металлов (W, TiN, Ta, Mo) и «сэндвич-структур» на их основе.
3.2. Разработка технологии формирования затворных структур интегральных МОП-транзисторов с длиной затвора от 30 до 90 нм.
3.3. Разработка заданий к курсовым и дипломным работам и магистерским диссертациям.
Развернуть
4
01.08.2011 - 15.11.2011
4.1. Исследование характеристик затворных металлических структур – анизотропии травления, шероховатости боковых стенок.
4.2. Разработка микроскопических методов характеризации нанообъектов сложной формы.
4.3. Постановка лабораторных работ по характеризации нанообъектов сложной формы методами зондовой микроскопии высокого разрешения.
Развернуть
5
01.01.2012 - 31.07.2012
5.1. Разработка технологических режимов травления субмикронных канавок в кремнии с управляемым профилем для щелевой изоляции интегральных приборов.
5.2. Разработка технологических режимов травления суб-100 нм тренчей в диэлектриках (SiO2, Si3N4) как элементов (окон) контактных систем интегральных транзисторов.
5.3. Разработка методик рентгеноструктурного анализа материалов микро- и наноэлектроники.
Развернуть
6
01.08.2012 - 05.11.2012
6.1. Развитие методик растровой электронной микроскопии для контроля профилей тренчей трапецеидального вида в диапазоне углов 60-90о и верификация этих методик методами атомно-силовой микроскопии.
6.2. Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
6.3. Постановка лабораторных работ на рентгеновском дифрактометре ARL X’tra.
Развернуть

Программа

Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы

Программное мероприятие

1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
Исследование ионосферы и магнитных полей Земли, а также физических явлений в различных средах и приборах микро- и наноэлектроники 1. Влияние зарядовых эффектов на работоспособность КМОП КНС интегральных схем при воздействии внешних дестабилизирующих факторов. 2. Методы лабораторной диагностики и выбор критических параметров интегральных схем при воздействии внешних дестабилизирующих факторов. 3. Методы математического моделирования радиационных эффектов в интегральных схемах. 4. Учет радиационного фактора в модели полупроводниковых элементов и интегральных схем. 5. Моделирование радиационной реакции полупроводниковых светоизлучающих структур на нейтронное воздействие. 6. Учет радиационных факторов в моделях интегральных схем. 7. Исследования радиационного воздействия на транспортные и оптические свойства низкоразмерных SiGe гетероструктур. 8. Исследование радиационной стойкости перспективных оптоэлектронных компонентов. 9. Возникновение кластерных структур в сетях нелинейно связанных осцилляторов. 10. Р
профинансировано
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
18,5 млн
Организация
ФГАОУ ВО НИ ТПУ
профинансировано
Продолжительность работ
2008 - 2009, 15 мес.
Бюджетные средства
9 млн
Организация
ИФП СО РАН
профинансировано
Тема
Организационно-техническое обеспечение проведения международной конференции с элементами научной школы для молодежи "Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологий и микросистем"
Продолжительность работ
2009, 4 мес.
Бюджетные средства
0,7 млн
Количество заявок
1
Тема
«Организационно-техническое обеспечение проведения всероссийской научной школы «Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологий и микросхем»»
Бюджетные средства
0 млн
Количество заявок
0
Тема
Создание элемента инфраструктуры Центра метрологического обеспечения и оценки соответствия нанотехнологий и продукции наноиндустрии по направлению наноэлектроника.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
1
Тема
Формирование графена, нанооболочек и приборов наноэлектроники и наномеханики на его основе.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 15 мес.
Бюджетные средства
10 млн
Количество заявок
1
Тема
Нанокластерированные ферромагнитные материалы для приборов полупроводниковой спиновой наноэлектроники.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2