Прислать материал
Разработка нанотехнологий формирования и физических основ метрологии суб-100 нм элементов интегральных приборов наноэлектроники
Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.740.11.0800
Руководитель работ
Орликовский Александр Александрович
Продолжительность работ
2010 - 2012, 31 мес.
Бюджетные средства
10,5 млн
Внебюджетные средства
2,25 млн
Информация отсутствует
Участники проекта
Зам. руководителя работ
Рудый Александр Степанович
Этапы проекта
1
24.04.2010 - 31.08.2010
1.1. Проведение патентных исследований.
1.2. Исследование закономерностей формирования суб-100 нм литографических масок, разработка методов повышения их стойкости к химически активной плазме.
1.3. Разработка научно-методических материалов для учебно-методических комплексов по общепрофессиональным дисциплинам образовательной программы «Электроника и наноэлектроника».
1.2. Исследование закономерностей формирования суб-100 нм литографических масок, разработка методов повышения их стойкости к химически активной плазме.
1.3. Разработка научно-методических материалов для учебно-методических комплексов по общепрофессиональным дисциплинам образовательной программы «Электроника и наноэлектроника».
2
01.09.2010 - 15.11.2010
2.1. Электронно-микроскопические исследования сформированных масок, изменения их геометрических характеристик после модификации полимеров в ходе экспериментов по повышению стойкости масок.
2.2. Разработка методик контроля наноразмерных объектов средствами РЭМ и АСМ высокого разрешения.
2.3. Разработка УМК по дисциплинам специализации образовательной программы «Электроника и наноэлектроника».
2.2. Разработка методик контроля наноразмерных объектов средствами РЭМ и АСМ высокого разрешения.
2.3. Разработка УМК по дисциплинам специализации образовательной программы «Электроника и наноэлектроника».
3
01.01.2011 - 31.07.2011
3.1. Разработка технологических режимов прецизионного анизотропного травления металлов (W, TiN, Ta, Mo) и «сэндвич-структур» на их основе.
3.2. Разработка технологии формирования затворных структур интегральных МОП-транзисторов с длиной затвора от 30 до 90 нм.
3.3. Разработка заданий к курсовым и дипломным работам и магистерским диссертациям.
3.2. Разработка технологии формирования затворных структур интегральных МОП-транзисторов с длиной затвора от 30 до 90 нм.
3.3. Разработка заданий к курсовым и дипломным работам и магистерским диссертациям.
4
01.08.2011 - 15.11.2011
4.1. Исследование характеристик затворных металлических структур – анизотропии травления, шероховатости боковых стенок.
4.2. Разработка микроскопических методов характеризации нанообъектов сложной формы.
4.3. Постановка лабораторных работ по характеризации нанообъектов сложной формы методами зондовой микроскопии высокого разрешения.
4.2. Разработка микроскопических методов характеризации нанообъектов сложной формы.
4.3. Постановка лабораторных работ по характеризации нанообъектов сложной формы методами зондовой микроскопии высокого разрешения.
5
01.01.2012 - 31.07.2012
5.1. Разработка технологических режимов травления субмикронных канавок в кремнии с управляемым профилем для щелевой изоляции интегральных приборов.
5.2. Разработка технологических режимов травления суб-100 нм тренчей в диэлектриках (SiO2, Si3N4) как элементов (окон) контактных систем интегральных транзисторов.
5.3. Разработка методик рентгеноструктурного анализа материалов микро- и наноэлектроники.
5.2. Разработка технологических режимов травления суб-100 нм тренчей в диэлектриках (SiO2, Si3N4) как элементов (окон) контактных систем интегральных транзисторов.
5.3. Разработка методик рентгеноструктурного анализа материалов микро- и наноэлектроники.
6
01.08.2012 - 05.11.2012
6.1. Развитие методик растровой электронной микроскопии для контроля профилей тренчей трапецеидального вида в диапазоне углов 60-90о и верификация этих методик методами атомно-силовой микроскопии.
6.2. Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
6.3. Постановка лабораторных работ на рентгеновском дифрактометре ARL X’tra.
6.2. Разработка программы внедрения результатов НИР в образовательный процесс.
6.3. Постановка лабораторных работ на рентгеновском дифрактометре ARL X’tra.
Программа
Программа "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009 - 2013 годы
Программное мероприятие
1.1 Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров
"Организационно-техническое обеспечение проведения международной конференции с элементами научной школы для молодежи "Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологий и микросистем"
профинансировано
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Организация
ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина"
профинансировано
Исследование ионосферы и магнитных полей Земли, а также физических явлений в различных средах и приборах микро- и наноэлектроники 1. Влияние зарядовых эффектов на работоспособность КМОП КНС интегральных схем при воздействии внешних дестабилизирующих факторов. 2. Методы лабораторной диагностики и выбор критических параметров интегральных схем при воздействии внешних дестабилизирующих факторов. 3. Методы математического моделирования радиационных эффектов в интегральных схемах. 4. Учет радиационного фактора в модели полупроводниковых элементов и интегральных схем. 5. Моделирование радиационной реакции полупроводниковых светоизлучающих структур на нейтронное воздействие. 6. Учет радиационных факторов в моделях интегральных схем. 7. Исследования радиационного воздействия на транспортные и оптические свойства низкоразмерных SiGe гетероструктур. 8. Исследование радиационной стойкости перспективных оптоэлектронных компонентов. 9. Возникновение кластерных структур в сетях нелинейно связанных осцилляторов. 10. Р
Продолжительность работ
2011, 5 мес.
Бюджетные средства
1,9 млн
профинансировано
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
18,5 млн
Организация
ФГАОУ ВО НИ ТПУ
профинансировано
профинансировано