Раработка технологии формирования и исследование наноструктурных высокоомных слоев твердых растворов (SiC)1-x-(AlN)x с применением сканирующей зондовой микроскопии

Исследование электрофизических свойств тонких высокоомных пленок состава (SiC)1-x(AIN)х методами сканирующей зондовой микроскопии

Разработка стандартизованной методики измерений локальной электропроводности высокоомных наноструктурированных материалов методом сканирующей зондовой микроскопии.

Разработка алгоритмов цифрового управления для сканирующих зондовых микроскопов

Исследование мемристивного эффекта в пленках диоксида ванадия методами сканирующей зондовой микроскопии

Проведение поисковых научно-исследовательских работ в интересах развития высокотехнологичных секторов экономики: 1. Исследования для разработки метода технологического контроля гетероэпитаксиальных структур фоточувствительного материала соединения AII BVI на основе электронно-зондовой микроскопии; 2. Исследование нанокомпозитов на основе полимеров с внедренными частицами различной природы (металлы, полупроводники, диэлектрики); 3. Исследование канальных волноводов на ниобате лития; 4. Определение стационарных режимов ионного травления для создания 3D наноструктур методом тонкого ионного пучка; 5. Исследование особенностей электронной литографии при низких ускоряющих напряжениях; 6. Исследование электрофизических свойств тонких высокоомных пленок состава (SiC)1-x(AIN)x; 7. Исследование свойств тонких высокоомных пленок состава (SiC)1-x(AIN)x методами атомно-силовой микроскопии; 8. Исследование свойств тонких высокоомных пленок состава (SiC)1-x(AIN)x методами растровой электронной микроскопии; 9. Исследование методов калибровки растровых электронных микроскопов; 10. Измерение линейных размеров наноструктур методами электронной микроскопии; 11. Компьютерное моделирование физических процессов в многослойных пьезокерамических структурах; 12. Исследование структурных перестроек ступенчатой поверхности кремния методами сканирующей электронной и зондовой микроскопии; 13. Изучение методик компенсации эффекта близости при субмикронной электронной литографии; 14. Исследование структуры и состава углекомпозита.