Регистрация / Вход
Прислать материал

"Теория твердотельных наноструктур и оптоэлектронных устройств на их основе".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7237
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе

«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»

Этапы проекта

1
05.09.2005 - 04.11.2005
Вычислена холловская проводимость двумерного электронного газа в сильном магнитном поле при различных факторах заполнения уровней Ландау. Выполнен анализ зависимостей холловской проводимости от магнитного поля, концентрации электронов и параметров гетероструктуры в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Показано, что имеет место степенной закон зависимости среднеквадратичного отклонения холловской проводимости в центре плато от квантованного значения от размеров образца.Дан теоретический анализ туннельных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами в магнитном поле и показано , что поперечное магнитное поле приводит к сужению области бистабильности на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода, и при некотором критическом значении магнитного поля Z-образная характеристика вырождается в N-образную. Эти результаты важны для боле
Теоретически исследован электронный транспорт и излучение в сверхрешетках из квантовых точек и найдены пороговые характеристики каскадных лазеров на таких структурах. Показаны преимущества таких приборов по сравнению с каскадными лазерами на квантовых ямах. Разработан теоретический подход к анализу состояния электрон-дырочных комплексов в квантовой яме, локализованных на пространственных неоднородностях потенциала. Теоретически предсказана возможность кристаллизации в многоэкситонной системе в наноструктуре с пространственным разделением носителей заряда и найдены температура фазового перехода. Предложен новый метод анализа оптические свойства светоизлучающих гетероструктур на основе нитридов третьей группы. Показано, что для вычисления характеристик таких структур возможно использовать упрощенную процедуру, ускоряющую процесс оценок, что важно для конструирования светоизлучающих приборов в зеленой и голубой областях спектра. Методами молекулярной динамики и Монте-Карло исследован процесс зарождения и эволюции квантовых точек SiC на Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Проведен теоретический анализ образования и эволюции ансамблей двумерных зародышей атомного слоя при эпитаксиальном росте соединений A3B5 и определены параметры, контролирующие эти процессы. Результаты представляют собой существенное развитие современных моделей и важны для оптимизации процессов выращивания приборных наноструктур. Проведен теоретический анализ модификации спектров фотолюминесценции квантовых точек, обусловленной взаимодействием с биологическими объектами. Обсуждаются преимущества использования полупроводниковых квантовых точек для исследования и диагностики биологических систем. Исследованы транспортные и структурные свойства монокристаллических пористых слоев при наличии в них электролитических осажденных кластеров атомов группы железа и палладия.
При выполнении работы использовались методы современной теории твердого тела, основанные на квантовой механике, статистической физики, теории неравновесных процессов и методы компьютерного моделирования процессов, основанные на методе Монте-Карло и молекулярной динамики.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИПФ РАН
профинансировано
Тема
Технологии выращивания и электронные свойства комбинированных наноструктур для оптоэлектронных и магнитных устройств.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Проведение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
753
Тема
Атомные процессы и технологии изготовления твердотельных полупроводниковых наноструктур.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Наноструктуры для полупроводниковых лазеров и генерации ультракоротких импульсов света.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
1
Тема
Выполнение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы и поисковых исследований фундаментального характера молодыми учеными и преподавателями, проходящими стажировку в крупном российском научном (научно-образовательном) центре.
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
25 млн
Количество заявок
27