"Теория твердотельных наноструктур и оптоэлектронных устройств на их основе".

Вычислена холловская проводимость двумерного электронного газа в сильном магнитном поле при различных факторах заполнения уровней Ландау. Выполнен анализ зависимостей холловской проводимости от магнитного поля, концентрации электронов и параметров гетероструктуры в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Показано, что имеет место степенной закон зависимости среднеквадратичного отклонения холловской проводимости в центре плато от квантованного значения от размеров образца.Дан теоретический анализ туннельных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами в магнитном поле и показано , что поперечное магнитное поле приводит к сужению области бистабильности на вольт-амперной характеристике резонансно-туннельного диода, и при некотором критическом значении магнитного поля Z-образная характеристика вырождается в N-образную. Эти результаты важны для боле
Теоретически исследован электронный транспорт и излучение в сверхрешетках из квантовых точек и найдены пороговые характеристики каскадных лазеров на таких структурах. Показаны преимущества таких приборов по сравнению с каскадными лазерами на квантовых ямах. Разработан теоретический подход к анализу состояния электрон-дырочных комплексов в квантовой яме, локализованных на пространственных неоднородностях потенциала. Теоретически предсказана возможность кристаллизации в многоэкситонной системе в наноструктуре с пространственным разделением носителей заряда и найдены температура фазового перехода. Предложен новый метод анализа оптические свойства светоизлучающих гетероструктур на основе нитридов третьей группы. Показано, что для вычисления характеристик таких структур возможно использовать упрощенную процедуру, ускоряющую процесс оценок, что важно для конструирования светоизлучающих приборов в зеленой и голубой областях спектра. Методами молекулярной динамики и Монте-Карло исследован процесс зарождения и эволюции квантовых точек SiC на Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Проведен теоретический анализ образования и эволюции ансамблей двумерных зародышей атомного слоя при эпитаксиальном росте соединений A3B5 и определены параметры, контролирующие эти процессы. Результаты представляют собой существенное развитие современных моделей и важны для оптимизации процессов выращивания приборных наноструктур. Проведен теоретический анализ модификации спектров фотолюминесценции квантовых точек, обусловленной взаимодействием с биологическими объектами. Обсуждаются преимущества использования полупроводниковых квантовых точек для исследования и диагностики биологических систем. Исследованы транспортные и структурные свойства монокристаллических пористых слоев при наличии в них электролитических осажденных кластеров атомов группы железа и палладия.
При выполнении работы использовались методы современной теории твердого тела, основанные на квантовой механике, статистической физики, теории неравновесных процессов и методы компьютерного моделирования процессов, основанные на методе Монте-Карло и молекулярной динамики.