"Теоретические и экспериментальные исследования оптоэлектронных и полупроводниковых структур и приборов для информационно-телекоммуникационных систем".

В работе установлено влияние ориентации структуры симистора в пространстве относительно линий индукции магнитного поля на параметры выходной (напряжение переключения) и выходной (ток мика и напряжение пика) вольт-амперных характеристик, определены направления, в которых структура проявляет наибольшую магниточувствительность.
Предложены новые фоточувствительные N-приборы с управляемой вольт-амперной характеристикой, ток пика которой управляется как интенсивностью излучения, так и пространственным положением светового пучка; выполнены моделирование и экспериментальные исследования статических вольт-амперных характеристик макетов предложенных N-приборов.
В результате моделирования и экспериментального исследования динамических характеристик макетов фоточувствительных N-приборов с управляемой N-образной вольт-амперной характеристикой в том числе при воздействии инфракрасного излучения показано, что времена переключения N-прибора с шунтированием эмиттерного перехода не превышает 10-20 нс; N-прибора с модуляцией тока базы – 15-35 нс.
Обнаружено инфракрасное тушение максимума спектра электролюминесценции излучателей, объясняемое перераспределением каналов ударного возбуждения с центров свечения на дефекты структуры слоя люминофора, и оценены значения сечения и коэффициента ударной ионизации дефектов - вакансий серы , коэффициента умножения электронов, вероятности излучательной релаксации центров свечения Mn2+.
Определены глубина уровней поверхностных состояний прикатодной границы раздела диэлектрик-люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, с которых происходит туннелирование электронов, вероятность туннелирования, ширина потенциального барьера.
Предложен новый метод определения вероятности излучательной релаксации центров свечения Mn2+ при их ударном возбуждении, длины ударного возбуждения этих центров, а также зависимостей от времени коэффициента умножения электронов и числа ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедший из области ионизации, из экспериментально определенных зависимостей мгновенного внутреннего квантового выхода, полученных в первом полупериоде напряжения возбуждения излучателей низкой частоты, при которой скорость нарастания тока не превышает скорости нарастания яркости. Найденное с помощью этого метода значение вероятности излучательной релаксации центров свечения Mn2+ существенным образом определяет максимально достижимую величину важнейшего параметра эффективности излучателей - внутреннего квантового выхода.
Предложенные фото- и позиционно-чувствительные N-приборы имеют простую конструкцию, малое число образующих элементов, возможность функционального интегрирования, малую мощность рассеивания и малые линейные размеры, что открывает широкие возможности применения данных устройств в современной электронной аппаратуре и микросистемной технике: в фоточувствительных микромощных координатных датчиках, в генераторах, элементах памяти, различных устройствах автоматики. Динамические характеристики макетов исследованных N-приборов свидетельствуют о том, что эти приборы могут быть использованы в быстродействующих фоточувствительных датчиках, оптоэлектронных аналого-цифровых преобразователях и других устройствах.