"Кремниевые структуры для оптоэлектронных приложений в ближнем ИК и терагерцовом диапазонах".

При выполнении НИР получены следующие важные результаты, относящиеся к созданию и разработке источников терагерцового излучения:
1) исследованы механизмы усиления и генерации терагерцового излучения при вынужденном комбинационном рассеянии света на электронных состояниях донорных центров в объемном кремнии (Raman lasing), что не требует их инверсной населенности;
2) проработаны возможные схемы токового возбуждения инверсной заселенности состояний донорных центров в объемном кремнии и структурах на основе кремния (Si/SiGe).
3) Обнаружен эффект стимулированного излучения в терагерцовом диапазоне частот при вынужденном комбинационном рассеянии света на донорах сурьмы в кремнии и исследованы его амплитудно-частотные характеристики и особенности.
4) Предложены схемы квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот (4-6 ТГц) на примесно-зонных оптических переходах в селективно легированных Si/SiGe гетероструктурах.
Исследована возможность управления оптическим излучением в полосковых волноводах на основе кремния с помощью внешнего лазерного излучения.
Разработан и создан экспериментальный стенд для низкокогерентной диагностики кремниевых интегрально-оптических волноводов на длину волны 1.55 мкм.
Проведены исследования структурных и оптических свойств полученных гетероструктур.
Исследованы электролюминесцентные свойства диодных светоизлучающих структур Si:Er/Si с различными распределениями концентрации легирующих примесей и электрического поля в активной области структур, легированной эрбием.
Представлены результаты исследования электролюминесцентных свойств структур n+-Si/n-Si:Er/n-Si/p+-Si с активным слоем n-Si:Er, позиционированным в области пространственного заряда. Изучена возможность использования таких структур для создания электрооптических преобразователей и элементов памяти.