Регистрация / Вход
Прислать материал

"Кремниевые структуры для оптоэлектронных приложений в ближнем ИК и терагерцовом диапазонах".

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Выполнение этапа проекта
Проект
02.445.11.7185
Организация
ИПФ РАН

«Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации»

Этапы проекта

1
05.09.2005 - 04.11.2005
При выполнении НИР получены следующие важные результаты, относящиеся к созданию и разработке источников терагерцового излучения:
1) исследованы механизмы усиления и генерации терагерцового излучения при вынужденном комбинационном рассеянии света на электронных состояниях донорных центров в объемном кремнии (Raman lasing), что не требует их инверсной населенности;
2) проработаны возможные схемы токового возбуждения инверсной заселенности состояний донорных центров в объемном кремнии и структурах на основе кремния (Si/SiGe).
3) Обнаружен эффект стимулированного излучения в терагерцовом диапазоне частот при вынужденном комбинационном рассеянии света на донорах сурьмы в кремнии и исследованы его амплитудно-частотные характеристики и особенности.
4) Предложены схемы квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот (4-6 ТГц) на примесно-зонных оптических переходах в селективно легированных Si/SiGe гетероструктурах.
Исследована возможность управления оптическим излучением в полосковых волноводах на основе кремния с помощью внешнего лазерного излучения.
Разработан и создан экспериментальный стенд для низкокогерентной диагностики кремниевых интегрально-оптических волноводов на длину волны 1.55 мкм.
Проведены исследования структурных и оптических свойств полученных гетероструктур.
Исследованы электролюминесцентные свойства диодных светоизлучающих структур Si:Er/Si с различными распределениями концентрации легирующих примесей и электрического поля в активной области структур, легированной эрбием.
Представлены результаты исследования электролюминесцентных свойств структур n+-Si/n-Si:Er/n-Si/p+-Si с активным слоем n-Si:Er, позиционированным в области пространственного заряда. Изучена возможность использования таких структур для создания электрооптических преобразователей и элементов памяти.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002-2006 годы

Программное мероприятие

1.12 Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1 млн
Организация
ФТИ им. А.Ф.Иоффе
профинансировано
Продолжительность работ
2005, 2 мес.
Бюджетные средства
1,28 млн
Организация
ИЯФ СО РАН
профинансировано
Продолжительность работ
2008, 4 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Организация
ИОФ РАН
профинансировано
Тема
Оптические материалы, активные и пассивные компоненты для терагерцового, ближнего и среднего ИК- диапазонов.
Продолжительность работ
2008, 3 мес.
Бюджетные средства
1,2 млн
Количество заявок
2
Тема
Развитие системы ведущих научных школ как среды генерации знаний и подготовки научно-педагогических кадров высшей квалификации. Проведение научно-исследовательских работ по приоритетным направлениям Программы
Продолжительность работ
2005 - 2006, 23 мес.
Бюджетные средства
300 млн
Количество заявок
753
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (кремниевый матричный фотоприёмник в диапазоне 0,5-1,1 мкм на основе функционально-интегрированных структур)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (кремниевый матричный фотоприемник в диапазоне 0,5 – 8 мкм на основе углеродных нанотрубок)
Продолжительность работ
2013 - 2015, 25 мес.
Бюджетные средства
18,4 млн
Количество заявок
1
Тема
Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения (кремниевый ИК-фотоприемник с обработкой сигнала в ячейках матрицы).
Продолжительность работ
2014 - 2015, 20 мес.
Бюджетные средства
19,06 млн
Количество заявок
1