Разработка опытно-промышленной технологии получения наноразмерных гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе

Разработана и согласована комплектность технической документации на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и на ТП1, ТП2, ТП3, разрабатываемой на этапах работ.Подготовлено измерительное оборудование для исследования структуры и свойств наноразмерных гетероструктур и чипов светодиодов.Уточнены технические требования к исходным ПС с улучшенной геометрией и качеством поверхности для дальнейшего получения подложек с нано- и микротекстурированной поверхностью.

Разработаны эскизные проекты (ЭП) на системы на основе чипов светодиодов.
Разработаны предварительные проекты (ПП) на технологические процессы ТП1, ТП2, ТП3.
Выполнена адаптация измерительных методик для исследования структуры и свойств наноразмерных гетероструктур и чипов светодиодов.
Изготовлены пробные ТПС.

Изготовлены экспериментальные образцы наноразмерных гетероструктур (партия 1).
Разработаны РКД на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и РТД на технологические процессы ТП1, ТП2, ТП3.
Обобщены результаты исследований влияния нано- и микротекстурирования поверхности подложки сапфира на качество эпитаксиальных слоев и вывод УФ излучения из светодиодной структуры

Изготовлены опытные образцы гетероструктур и Системы 1, Системы 2, Системы. Разработаны программы и методики (ПМ) предварительных испытаний опытных образцов гетероструктур и Чип 1, Чип 2, Системы 1, Системы 2, Системы. Проведена корректировка РКД на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и РТД на ТП1, ТП2, ТП3 по результатам предварительных испытаний с присвоением литеры «О». Изготовлены экспериментальные образцы гетероструктур для исследований. Исследованы характеристики экспериментальных образцов наноразмерных гетероструктур и чипов светодиодов.

Проведены государственные приёмочные испытания опытных образцов гетероструктур и Чип 1, Чип 2, Системы 1, Системы 2, Системы 3. Откорректированы РКД на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и РТД на ТП1, ТП2, ТП3 с присвоением литеры «О1». Изготовлены экспериментальные образцы гетероструктур для исследований. Разработаны и согласованы предложения по внедрению созданных опытно-промышленных технологий на конкретных предприятиях промышленности.