Регистрация / Вход
Прислать материал

Разработка опытно-промышленной технологии получения наноразмерных гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе

Стадии проекта
Предложение принято
Конкурс завершен
Проект закончен
Проект
02.523.12.3028
Организация
ООО "Галлий-Н"
Руководитель работ
Макаров Юрий Николаевич

Создание отечественной опытно-промышленной технологии производства наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе, обеспечивающих повышение качества жизни и здоровья населения.

Этапы проекта

1
16.11.2009 - 15.12.2009
Разработана и согласована комплектность технической документации на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и на ТП1, ТП2, ТП3, разрабатываемой на этапах работ.Подготовлено измерительное оборудование для исследования структуры и свойств наноразмерных гетероструктур и чипов светодиодов.Уточнены технические требования к исходным ПС с улучшенной геометрией и качеством поверхности для дальнейшего получения подложек с нано- и микротекстурированной поверхностью.
Развернуть
2
01.01.2010 - 30.06.2010
Разработаны эскизные проекты (ЭП) на системы на основе чипов светодиодов.
Разработаны предварительные проекты (ПП) на технологические процессы ТП1, ТП2, ТП3.
Выполнена адаптация измерительных методик для исследования структуры и свойств наноразмерных гетероструктур и чипов светодиодов.
Изготовлены пробные ТПС.
Развернуть
3
01.07.2010 - 15.12.2010
Изготовлены экспериментальные образцы наноразмерных гетероструктур (партия 1).
Разработаны РКД на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и РТД на технологические процессы ТП1, ТП2, ТП3.
Обобщены результаты исследований влияния нано- и микротекстурирования поверхности подложки сапфира на качество эпитаксиальных слоев и вывод УФ излучения из светодиодной структуры
Развернуть
4
01.01.2011 - 30.06.2011
Изготовлены опытные образцы гетероструктур и Системы 1, Системы 2, Системы. Разработаны программы и методики (ПМ) предварительных испытаний опытных образцов гетероструктур и Чип 1, Чип 2, Системы 1, Системы 2, Системы. Проведена корректировка РКД на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и РТД на ТП1, ТП2, ТП3 по результатам предварительных испытаний с присвоением литеры «О». Изготовлены экспериментальные образцы гетероструктур для исследований. Исследованы характеристики экспериментальных образцов наноразмерных гетероструктур и чипов светодиодов.
Развернуть
5
01.07.2011 - 20.10.2011
Проведены государственные приёмочные испытания опытных образцов гетероструктур и Чип 1, Чип 2, Системы 1, Системы 2, Системы 3. Откорректированы РКД на Чип 1, Чип 2, Систему 1, Систему 2, Систему 3 и РТД на ТП1, ТП2, ТП3 с присвоением литеры «О1». Изготовлены экспериментальные образцы гетероструктур для исследований. Разработаны и согласованы предложения по внедрению созданных опытно-промышленных технологий на конкретных предприятиях промышленности.
Развернуть

Программа

Программа "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы"

Программное мероприятие

2.3 Осуществление комплексных проектов, в том числе разработка конкурентоспособных технологий, предназначенных для последующей коммерциализации в области индустрии наносистем
Тема
Разработка опытно-промышленной технологии получения наноразмерных гетероструктур для изготовления чипов светодиодов с длиной волны излучения 360-370 нм, а также приборов для очистки и дезинфекции воздуха на их основе.
Продолжительность работ
2009 - 2011, 24 мес.
Бюджетные средства
100 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка методов изготовления наноразмерных светоизлучающих гетероструктур для светодиодов ближнего ультрафиолетового диапазона.
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
20 млн
Количество заявок
2
Тема
Разработка методов получения светоизлучающих наноразмерных гетероструктур InGaAlN и монолитных белых светодиодов на их основе с квантовой эффективностью не менее 10%.
Продолжительность работ
2011 - 2012, 14 мес.
Бюджетные средства
19,47 млн
Количество заявок
1
Тема
Создание метрологического комплекса и нормативно-методической базы для обеспечения единства измерений оптических характеристик излучателей на основе полупроводниковых многослойных наноразмерных гетероструктур (светодиодов).
Продолжительность работ
2008 - 2009, 14 мес.
Бюджетные средства
35 млн
Количество заявок
1
Тема
Разработка конструкции и технологии изготовления сверхмощных светоизлучающих кристаллов на основе инверсных GaN-гетероструктур.
Продолжительность работ
2007 - 2008, 14 мес.
Бюджетные средства
140 млн
Количество заявок
2